半導體行業真空氦質譜檢漏儀??是保障芯片制造精度的核心設備,專用于檢測工藝設備的極微泄漏。其工作原理基于??氦氣示蹤??:向待測件注入氦氣,通過高真空質譜系統分離氦離子,經法拉第杯/電子倍增器捕捉信號,精準定位漏點。
一、示蹤氣體選擇??
??氦氣(He)??:分子量小(4?g/mol)、惰性、無毒,易擴散且本底濃度低(空氣中僅5?ppm)。
替代方案:氫氣(需防爆設計)、氪-85(放射性,特殊場景用)。
二??、檢測流程??
??1、抽真空??:將待測設備(如真空腔體)抽至分子流狀態(氣體分子自由運動,無碰撞)。
??2、噴氦/充氦??:外部噴氦或內部充氦,氦分子通過泄漏點進入檢漏儀。
??3、電離篩選??:氦氣在質譜儀中被電離為He?,通過磁場偏轉分離,檢測器捕獲信號。
??4、定量定位??:信號強度對應泄漏率,移動噴槍可精確定位漏點(精度達0.1?mm)。
三、核心公式??
泄漏率Q=P×V/t(P:壓差,V:泄漏體積,t:時間),在分子流狀態下與氣體種類無關。
四、應用場景
1、??EUV光刻機真空腔:防止氧氣/水汽滲入,保障極紫外光傳輸。
??2、薄膜沉積設備:確保反應腔密封,避免工藝氣體(如SiH?)外泄。
??3、晶圓傳輸系統:檢測真空機械臂密封性,杜絕微粒污染。
??4、3D封裝硅通孔(TSV)??:驗證氣密性,防止濕氣侵蝕互連結構。

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